6寸石墨托盘
产品特点：
石墨基底
高纯度石墨是生产半导体部件的关键材料，杂质含量应保持在百万分之五以下。
石墨基底
高纯度石墨是生产半导体部件的关键材料，杂质含量应保持在百万分之五以下。
涂层技术
通过对CVD炉内的热场、气流等的精准控制以及自主配方，在950-1400℃ 条件下沉积SiC涂层在基底表面，从而生成高质量的碳化硅涂层。
全流程质量管控
在项目策划阶段、设计开发阶段、首件制造/试生产阶段、量产阶段均有完整管控。
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| 石墨托盘（Si外延） | 石墨托盘（SiC外延） | MOCVD |
| 逻辑芯片、存储芯片 | 功率器件 | 用于生长GaAs、InP、GaN等金属化合物制造高性能半导体器件 |
等静压石墨材料
UPAM所生产的石墨基底涂层部件，采用的等静压石墨材料是一种高性能材料，专为半导体行业中的碳化硅（SiC）晶体生长工艺设计。其优异的耐腐蚀性能使其成为SiC晶体生长热场环境的理想选择，可确保工艺稳定性和材料可靠性。
石墨材料数据
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性 能 |
单 位 |
参 数 |
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平均粒径 |
μm |
10 |
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体积密度 |
g/cm3 |
1.83 |
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电阻率 |
μΩm |
13 |
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抗折强度 |
Mpa |
60 |
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抗压强度 |
Mpa |
130 |
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热膨胀系数20-200℃ |
10-6/K-1 |
4.2 |
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灰分 |
PPM |
≤200 |
纯化指标
|
灰分值 |
铝 |
钙 |
钴 |
铬 |
铜 |
铁 |
镁 |
锰 |
镍 |
磷 |
硅 |
钛 |
|
<5PPM |
＜0.02 |
0.05 |
＜0.01 |
＜0.02 |
＜0.05 |
＜0.01 |
＜0.05 |
＜0.01 |
＜0.01 |
＜0.05 |
＜0.1 |
＜0.01 |
碳化硅涂层
碳化硅涂层-材料数据
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性 能 |
单 位 |
参 数 |
|
结构 |
|
β-SIC |
|
排列方向 |
分数[%] |
111 |
|
体积密度 |
g/cm3 |
3.2 |
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化学计量比 |
|
1:1Si/C |
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硬度 |
GPa |
40 |
|
膜厚 |
μm |
100 |
碳化硅涂层-纯度数据
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元素 |
PPM |
元素 |
|
钠 |
＜0.05 |
铜 |
|
镁 |
＜0.05 |
锌 |
|
铝 |
＜0.05 |
镓 |
|
磷 |
0.073 |
锗 |
|
硫 |
0.057 |
砷 |
|
钾 |
＜0.02 |
铟 |
|
钙 |
＜0.1 |
锡 |
|
钛 |
＜0.01 |
锑 |
|
钒 |
＜0.01 |
钨 |
|
铬 |
＜0.05 |
碲 |
|
锰 |
＜0.02 |
铅 |
|
铁 |
＜0.02 |
铋 |
|
镍 |
＜0.01 |
|
